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趣旨・目的


 21世紀の高度情報化社会を支える半導体デバイスは、高品位の大口径結晶育成技術と微細加工技術の発展により現在の繁栄に至っている。
 しかし、高速化と高集積化が極度に進んだ結果、従来技術の延長では解決できない多くの困難な問題が顕在化してきており、基礎研究に基づく産学挙げての取り組みがますます重要になっている。
 本委員会は、シリコンならびに化合物半導体の結晶育成ならびにウエーハ技術の向上に資するため、新しい加工および評価技術の開発を行うとともに、研究者・技術者の交流の場を与えることを目的としている。




研究テーマ



 1.ウエーハ評価技術の開発研究
 2.SOIウエーハならびに歪みシリコン技術の研究とデバイス応用
 3.新しい無転位大口径結晶の育成技術の開発
 4.シリコン中の欠陥評価法の定量化と標準化
 5.太陽電池用シリコン結晶の育成と評価
 6.ワイドバンドギャップ系半導体の結晶工学とデバイス応用
 7.国際シンポジウム・研究会による人材育成