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2015.12. 4更新

 


本サイトは,以下のURLに移転します.
    
http://www.riam.kyushu-u.ac.jp/nano/gakushin145/
 
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 委員長からのメッセージ


   私が初めてSi結晶の研究に取り組んだ30数年前は、ウエハー口径を75 mmにすることの有効性について議論され、数1000個の原子から成る微小欠陥の検出に躍起になっていました。それが現在では、450 mm口径が話題になり、たった1個の原子の抜け跡である空格子の挙動が捉えられるようになっています。この展開には結晶の精密加工技術ならびに評価技術の着実な発達が大きく貢献してきました。そしてこの間に培われた基礎技術は、今後の人類の持続可能な発展の鍵を握る環境・エネルギーデバイスの開発にも広く活用されるものと確信しています。

  本委員会は、これからも結晶加工と評価技術の向上に寄与する活動を続けて行きます。

      
田島 道夫 (JAXA宇宙科学研究所/明治大学)



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  去る2015年6月25日に開催されました
    学振・技術の伝承プロジェクト「シリコン結晶技術」出版記念祝賀会の写真をアップしました.

 研究会のご案内

 第147回研究会

 日時: 2015年 12月25日(金)13:00〜17:00

 会場: 明治大学 駿河台キャンパス グローバルフロント 1階 多目的室
            東京都千代田区神田駿河台1-1(TEL 03-3296-4545)
            JR中央線・総武線、東京メトロ丸ノ内線/御茶ノ水駅 下車徒歩3分
            東京メトロ千代田線/新御茶ノ水駅 下車徒歩5分
            都営地下鉄三田線・新宿線、東京メトロ半蔵門線/神保町駅 下車徒歩5分
            
http://www.meiji.ac.jp/koho/campus_guide/suruga/access.html

 テーマ: 「パワーデバイス用エピタキシャル成長装置の現状」
             − エピウェハ量産化の課題 −

 世話人:  大谷 昇(関西学院大学))、土田秀一(電力中央研究所)、
        山本秀和(千葉工業大学)、西澤伸一(産業技術総合研究所)

 プログラム:

   13:00〜13:05  開会の挨拶             田島道夫
   13:05〜13:10  はじめに              大谷 昇
   13:10〜13:45  「SiCエピ/ウェハ統合評価プラットフォーム」(仮題)
                                 北畠 真(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構
                                       (現所属:東洋炭素(株))
   13:45〜14:20  「パワーデバイス用Siエピウェハ中の結晶欠陥評価」
                                 中居克彦(日鉄住金テクノロジー(株)
   14:20〜14:55  「パワーデバイス用Si及びSiC高速エピタキシャル成長装置の開発」(仮題)
                                 三谷慎一((株)ニューフレアテクノロジー TFW装置技術部)

   14:55〜15:10  休憩

   15:10〜15:45  「GaN系エピタキシャル結晶成長の現状と今後の展望」(仮題)
                                 松本 功(大陽日酸(株)電子機材事業本部)
   15:45〜16:20  「プラネタリ型GaN及びSiCエピタキシャル成長装置の開発」(仮題)
                                 原田健太郎(アイクストロン(株))
   16:20〜16:55  「量産型SiCエピタキシャル成長装置の開発」(仮題)
                                 原島正幸(東京エレクトロン山梨(株)山梨技術開発センター)

   16:55〜17:00  おわりに              土田秀一

   17:00〜17:20  委員総会
   17:40〜19:40  意見交換会 (場所:明治大学駿河台キャンパス グローバルフロント 17階 グローバルラウンジ)



 今後の研究会テーマ および 本会が主催する企画


2015年度研究会 今後の企画予定(案)

 1.11月26 日(木)
    「結晶加工における材料変形と変質」
      明治大学 大学会館3階第1・2会議室 (世話人:*佐野,閻,土肥,上殿)

 2.12月25日(金)
    「パワーデバイス用エピタキシャル成長装置の現状」‐ エピウェハ量産化の課題 ‐
      明治大学 駿河台キャンパス グローバルフロント 1階 多目的室 (世話人:*大谷,土田,山本,西澤)

 3.来年度初頭 4〜5月頃 
    「化合物半導体中の点欠陥の性質と挙動、および信頼性への影響」(VX、 VXナイトライド,SiC、UY)
      場所未定 (世話人:上田,酒井,奥村,和田,(三宅))



 
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 2015年度国内シンポジウム等



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 2015年度国際シンポジウム等

 その他のご案内

 【国際会議】

 【共催】

 【協賛】


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  第6期終了の学界委員への梅野 前委員長からの挨拶  

 産業界の方へ: 入会のお勧め


入会には「入会申込書」にご記入の上、日本学術振興会にご提出ください。本ホームページからご連絡いただければ、入会申込書をお送りいたします。